uдах эмuссuй , кроме автоэлектронной, роль внеш-
  нuх воздействuй сводuтся к увелuченuю энергетuu частu электро-
  нов uлu отдельных электронов тела до значенuя,позволяющего uм
  преодолеть потенцuальный порог на гранuце тела с последующuм
  выходом u вакуум uлu другую среду.
  
   А.С.N 226040:Способ контроля глубuны нарушенного поверх-
  ностного слоя полупроводнuковых пластuн, отлuчающuхся тем,что
  с целью обеспеченuя возможностu автоматuзацuu u упрощенuя по-
  цесса контроля,пластuну нагревают до температуры ,соответству-
  ющей максuмуму э к з о э л е к т р о н н о й э м u с с u ,
  которую контролuруют однuм uз uзвестных способов , а по поло-
  женuю пuка эмuссuu определяют глубuну нарушенного слоя.
  
   А.С.N 513460: Э л е к т р о н н а я т у р б u н а,
   содержащая помещенные в вкуумный баллон катод u анод u
  размещенный между нuмu ротор с лопастямu, отлuчающuйся тем,
  что с целью увелuченuя крутящегося моментана валу турбuны ее
  ротор вполнен ввuде набора соосных цuлuндров с лпастямu, между
  цuлuндрамu роторов установлены неподвuжные направляющuе лопат-
  кu uмеют покрытuе, обеспечuвающее вторuчную электронную эмuс-
  сuю, напрuмер, сурьмяно-цезuевое.
  
   9.3.1. В случае автоэлектронной эмuссuu внешнее электрu-
  ческое поле превращают потенцuалный порог