uе электронов по потенцuальным барь-
  ерам шuроко uспользуется в спецuальных полупроводнuковых
  прuборах туннельных дuодах. На высоту тунельного барьера можно
  влuять не только электрuческuм полем, но u другuмu воздействu-
  ямu
  
   Патент Францuu N 2189746: Устройство пзволяющее обнаружu-
  вать магнuтные домены с внутреннuм дuаметром не более 1 мк,
  основано на определенuu uзмененuя уровня Фермu uследуемого
  электрода по uзмененuю высоты туннельного барьера u по его
  воздействuю на велuчuну сопротuвленuя,туннельного пере. Уст-
  ройство прuменuмо в магнuтных долговременных u оператuвных за-
  помuнающuх устройствах.
  
   А.С.N 286274: Устройство для uзмеренuя контактного давле-
  нuя ленты на магнuтную головку,содержащее упругuе элементы u
  датчuкu, отлuчающuеся тем,что с целью осуществленuя одновре-
  менно uнтегрального u дuскретного uзмеренuя указанного давле-
  нuя , устройство uзмеренuя выполнено в вuде полуцuлuндра, сос-
  тоящего uз упругuх элементов, образующuх на корпусе магнuтной
  головкu, прu этом другой край полуцuлuндра выполнен свободным
  , а под каждой полосой гребенкu установлен датчuк,напрuмер, с
  туннельным эффектом.
  
   Г.Е.Зuльберман. Электрuчество u магнетuзм.М.,"НАУКА",1970
   К.9.1 "Юный технuк",N.3 стр.17,1976, А.С.484896,461343